半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法[发明专利]

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专利名称：半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方

法

专利类型：发明专利发明人：吉川英治,出尾晋一申请号：CN201210207074.3申请日：20120621公开号：CN103091007A公开日：20130508

摘要：本发明涉及半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法。半导体压力传感器具备：第一基板（1），在主表面（1a）具有凹部（3）以及对准标记（4）；第二基板（2），形成在第一基板（1）的主表面（1a）上，具有以覆盖第一基板（1）的凹部（3）内的空间（IS）上的方式设置的隔板（5）以及在隔板（5）上设置的应变计电阻（6）。对准标记（4）以从第二基板（2）露出的方式设置。由此，能够得到能够抑制制造成本并且能够使压力测定精度提高的半导体压力传感器及其制造方法。

申请人：三菱电机株式会社

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：中国专利代理()有限公司

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