irfp4468场效应管参数

IRFP4468是一款N沟道功率MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高功率应用。下面将详细介绍IRFP4468的参数。

1.包装和引脚配置：IRFP4468采用TO-247封装，具有三个引脚：源极（S），栅极（G）和漏极（D）。 2.标称参数：

-标称电压：IRFP4468的标称电压为200V，表示了正常工作电压的上限。它允许在这个电压范围内使用。

-标称电流：IRFP4468的标称电流为195A，表示了在正常工作条件下，最大允许的电流值。 3.静态参数：

- 静态漏极-源极电阻（RDS(on)）：IRFP4468的最大导通电阻为0.015Ω，表示了管子导通时的电阻值。

-静态漏极-栅极电容（CD）：IRFP4468的漏极-栅极电容为1000pF，表示了漏极和栅极之间的电容值。 4.动态参数：

- 输入电容（Ciss）：IRFP4468的输入电容为8200pF，表示了扇入电容，即输入信号对栅极和源极之间的电容。

- 输出电容（Coss）：IRFP4468的输出电容为3200pF，表示了扇出电容，即输出信号对栅极和源极之间的电容。

- 反向传输电容（Crss）：IRFP4468的反向传输电容为350pF，表示了从源极到栅极之间的电容。 5.动态特性：

- 开关时间：IRFP4468具有较快的开关速度，其上升时间（tR）为41ns，下降时间（tF）为78ns。

-开关损耗：IRFP4468具有较低的开关损耗，因此适用于高频和高效率应用。 6.其他参数：

-工作温度范围：IRFP4468的工作温度范围为-55°C至+175°C，表示了在这个温度范围内可以正常工作。

-存储温度范围：IRFP4468的存储温度范围为-55°C至+175°C，表示了在这个温度范围内可以安全存储。

IRFP4468是一款高性能的场效应管，适用于各种高功率应用，如电源，马达驱动器，逆变器和放大器等。它具有低导通电阻，快速开关速度和较低的开关损耗，能够提供高效率的工作。此外，IRFP4468还具有宽工作温度范围和较小的尺寸，使其非常适合在各种环境和应用中使用。

综上所述，IRFP4468是一款具有较低导通电阻和较高开关速度的N沟道功率MOSFET，适用于高功率应用。其标称参数，静态参数，动态参数和其他参数使其成为高效率和可靠性的选择。