一种利用低品位硅石生产工业硅的方法[发明专利]

来源：汇智旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种利用低品位硅石生产工业硅的方法专利类型：发明专利

发明人：魏奎先,邓小聪,马文会,陈正杰申请号：CN202010670703.0申请日：20200713公开号：CN111675222A公开日：20200918

摘要：本发明涉及一种利用低品位硅石生产工业硅的方法，属于工业硅冶炼技术领域。本发明将低品位硅石和碳质还原剂加入到矿热炉中进行冶炼得到低品质工业硅熔体；将低品质工业硅熔体连续匀速加入到定向凝固连铸装置中，控制硅熔体的温度和流速、凝固速度以实现杂质元素的偏析富集，得到杂质元素含量梯级分布的硅锭产品，对硅锭产品进行取样检测，确定杂质元素含量梯级分布的节点，并对硅锭进行分级处理得到不同杂质元素质量含量的各级工业硅产品，其中杂质元素包括Fe、Al、Ca、Cu、V、Ti、Ni、Mn中的多种，工业硅产品包括化学级工业硅、冶金级工业硅和硅铁。本发明极大的降低了高质量工业硅产品对原料质量的依赖性。

申请人：昆明理工大学

地址：650093 云南省昆明市五华区学府路253号

国籍：CN

代理机构：天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：朱维

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文