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一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法

来源：汇智旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201811011493.3 （22）申请日 2018.08.31

（71）申请人武汉光迅科技股份有限公司

地址 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

（10）申请公布号 CN109143466A

（43）申请公布日 2019.01.04

（72）发明人梁雪瑞;马卫东;胡毅

（74）专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司

代理人王莹

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法

（57）摘要

本发明实施例提供一种混合集成硅光芯

片、光器件及芯片制作方法。所述芯片包括硅衬底；位于所述硅衬底上的二氧化硅包层；分别集成在所述二氧化硅包层内且位于所述硅衬底上的半导体激光器芯片、第一混合集成波导、光信号处理单元和第二混合集成波导；所述光信号处理单元通过第一硅波导连接所述第一混合集成波导，通过第二硅波导连接所述第二混合集成波导，用于对光信号进行调制/解调和分波/合波处

理；所述第一混合集成波导包括一个或多个用于半导体激光器芯片耦合的Si

法律状态

法律状态公告日

2019-01-04 2019-01-04 2019-01-04 2019-01-29 2019-01-29 2020-04-14

法律状态信息

公开公开公开

实质审查的生效实质审查的生效授权

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公开公开公开

实质审查的生效实质审查的生效授权

权利要求说明书

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说明书

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