第８卷第６期 ２０１１年１２月 综述 Ｓｕｍｍａｒｉｚａｔｉｏｎ Ｖｏ１．８ Ｎｏ．６ Ｄｅｅｅｍｂｅｒ ２Ｏｌ１ 新型半导体材料ＢａＳｉｚ的结构及其 热电性能的研究冰 杨子义，熊锡成 徐虎，谢泉， （贵州大学新型光电子材料研究所， 贵州大学理学院，贵州 贵阳 ５５００２５） 摘要：正交相的ＢａＳｉ 是一种新型半导体材料，具有较小的热传导系数、较大的光学吸收系数 和适合的带隙值，是一种潜在的热电材料和理想太阳能电池材料，有着广阔的应用前号。文章 介绍了正交￣ｌＢａＳｉ 晶体结构、电学特性，综述了近年来对其热电性质的研究状况，并就当前 ＢａＳｉ￣究中存在的问题和研究动向做了简要讨论。 关键词：ＢａＳｉ２；晶体结构；热电性质；热电材料 Ｒｅｖｉｅｗ ｏｎ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｎｏｖｅｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＢａＳｉ２ ＸＵ Ｈｕ，ＸＩＥ Ｑｕａｎ，ＹＡＮＧ Ｚｉ－ｙｉ，ＸＩＯＮＧ Ｘｉ－ｃｈｅｎｇ （Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｇｕｉｚｈｏｕ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｇｕｉｙａｎｇ ５５００２５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ ｂａｒｉｕｍ ｄｉｓｉｌｉｃｉｄｅ ｆＢａＳｉ２）ｉｓ ａ ｎｏｖｅｌ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｍａｔｅｒｉａｌ ｗｈｉｃｈ ｈａｓ ｌＯＷ ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ． ｔａｒｇｅ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｃｏｅｆｉｃｉｅｎｔｆ ａｎｄ ｓｕｉｔａｂｌｅ ｂａｎｄ ｇａｐ，ｉｔ ｉｓ ｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄ ｔｏ ｂｅ ａ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ ｍａｔｅｒｉａｌ，ａｎｄ ｃａｎ ｂｅ ｗｉｄｅｌｙ ｕｓｅｄ．Ｏｒ ｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ ＢａＳｉ２ ｗａｓ ｒｅｖｉｅｗｅｄ ｉｎ ｄｅｔａｉｌ ｆｒｏｍ ｉｔｓ ｃｒｙｓｔａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｔｏ ｅｌｅｃｔｉｃａｌｒ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｉｎ ｔｈｅ ｐａｐｅｒ，ａｎｄ ｔｈｅｎ， ｔｈｅ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｒｉｅｓ ｏｆ ＢａＳｉ２ ｉｎ ｒｅｃｅｎｔ ｙｅａｒｓ ｗａｓ ｏｖｅｒｖｉｅｗｅｄ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｔｈｅ ｐｒｏｂｌｅｍｓ ｅｘｉｓｔ— ｉｎｇ ｉｎ ｃｕｒｒｅｎｔ ｒｅｓｅａｒｃｈ ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｔｒｅｎｄｓ ｏｆ ＢａＳｉ２ ｗｅｒｅ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ ｂｒｉｅｆｌｙ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＢａＳｉ２；ｃｒｙｓｔａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ；ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｙ；ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌ ：ＴＮ３ｏ４．２ 文献标识码：Ａ 文童编号：１８１２—１９１８【２０１ １）０６—００６０—０７ ０引言 收稿日期：２０１１－ｄ１－１１ 基金项目：国家自然科学基金项目（６０７６６００２），科技部 能源是人类赖以生成和发展的基础，电能是 应用最为广泛最为便利的能源形式，而大部分电 国际合作专项项目（２００８ＤＦＡ５２２１０），贵州省科技攻关 项目ｆ黔科合ＧＹ宇（２０１１）３０１５），贵州省科技创新人才团 队建设专项资金项目ｆ黔科合人才团队（２ｏ１ １）４００２），贵 能来自石化燃料的转化。随着历史的发展，石化 能源日益枯竭，人们在享受便利生活的同时，也 面临着能源危机和其所带来的环境问题。提高能 源的利用率、不断开发和利用新的可再生能源已 成为实现人类社会可持续发展道路上亟待解决的 阳市大学生创业资金项目（［２０１０１筑科成大合同字４－１ 号０３），贵州省科学技术基金项目（黔科合Ｊ宇［２０１０１２００２ 号１，贵州省教育厅自然科学研究项目（黔科教２０１００６３）． 第６期 ２０１１年１２月 纳米科技 Ｎｏ．６ Ｎａｎｏｓｃｉｅｎｃｅ＆Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２０１ １ 问题。把废弃的热能转化为电能的能量转换技术 对于开发能源替代产品，减少对石化燃料依赖是 １ 正交相ＢａＳｉ 晶体结构及相变特征 从Ｂａ—ｓｉ的相图中ｌｌ５Ｊ可以看到，Ｂａ—Ｓｉ系统存 在Ｂａ２ｓｉ、Ｂａ５Ｓｉ３、ＢａＳｉ、Ｂａ３Ｓｉ４和ＢａＳｉ２等五种原子 配比的二元化合物，其中ＢａＳｉ：在常温常压下有正 非常重要的ｌｌ１。热电材料是一种利用固体内部载 流子的运动实现热能和电能相互转化的新型功能 材料。由该类材料制成的热电器件具有结构简 单、无噪声、不需要使用传动部件、在能量相互 转换的过程中不生成废弃物、不会污染环境等优 交相、立方相和三角相３种结构【 ７Ｊ，每种结构都 有其独特的ｓｉ原子与之匹配。不同相ＢａＳｉ 晶体结 构的不同也导致了它们具有不同的物理特性，正 交相和立方相的ＢａＳｉ２￣半导体，而三角相的ＢａＳｉ： 点，在工业余热、废热发电和半导冷等领域 均具有较大的应用前景［２１。热电器件的推广应用 将会大大提高矿物能源的利用率，具有良好的综 合社会效益。然而，目前由于热电材料的性能还 不够理想，热电器件虽已应用在某些特定的领 域，但距其大规模的推广应用还有一定的距离， 因此，积极寻找具有优良热电性能的新材料体系 和对传统热电材料体系纳米结构的研究［３１在获得 高性能热电材料的研究中显得尤为必要。 ’ 热电材料的热电转换效率由无量纲热电优值 ｚＴ来描述，ＺＴ＝（Ｓ２ｔｒ）Ｔ／Ｋ，其中５为Ｓｅｅｂｅｃｋ系数、 、，ｃ分别为电导率和热导率， 为绝对温度 。高 ＺＴ值的材料应具有高的Ｓｅｅｂｅｃｋ系数、高的电导 率和低的热导率。目前大多数性能较好的热电材 料主要是由Ｔｅ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｐｂ等有毒或稀有化学元 素组成，它们在使用过程中所带来的环境问题和 高经济成本了这些热电材料大规模的推广应 用。半导体金属硅化物由于其环境友好和热电转 换效率高而得到广泛研究。 正交￣ＢａＳｉ 作为一种新型半导体材料，虽然 不同研究小组对其能带带隙值的研究结果有一定 的差异州 ，但有关研究表明，通过组成Ｂａ ｓ ｉ 三元化合物可使带隙值增加到接近太阳能电池所 需理想值１．４ｅＶＬ９Ｈ“］。另外，其光吸收系数可达到 １０５ｃｍ ［１２ ４１，这个值比硅大近２个数量级，被证 明是一种很有发展前景的太阳能电池材料。在热 电转换方面，由于其具有低的热传导系数而被认 为是一种很有潜力的热电材料。目前，对正交相 ．ＢａＳｉ 的研究主要集中在电子结构和光电应用方 面，然而对其热电性能的研究还不是很充分。本 文叙述了正交相ＢａＳｉ 的晶体结构和相关电学特 性，分析了影响材料热电性能的因素，详细介绍 了近年来ＢａＳｉ 热电性能的研究现状，并对研究中 存在的问题和发展趋势作了简要讨论。 则显示出金属特性。正交￣ｆＨＢａＳｉ 在常温常压下是 稳定的，立方相和三角相在常温常压下为亚稳相 ［１８１［ ９１。２００８年Ｂａｌｄｕｃｃｉ Ｇ等人对Ｂａ—ｓｉ二元体系的 热力学性质进行了实验和理论的全面研究 ，得 出正交相Ｂａｓｉ 的生成热值为（一４６．７＋３．５）ｋＪ／ｍｏｌ， 定量证实了其稳定性。 正交相ＢａＳｉ２属正交晶系，其空间群为Ｐｎｍａ ｆＮ０．６２），Ｐｅａｒｏｎ符号为ｏＰ２４，是ＢａＳｉ２型结构，其 品格常数ａ＝０．８９２ｎｍ，ｂ＝Ｏ．６７５ｎｍ，ｃ＝１．１５７ｎｍｔ １， 晶面角ｃｘ＝６＝，ｙ＝９０。；每个晶胞中包含８个Ｂａ原子 和１６个ｓｉ原子，其中Ｂａ有２种原子环境，ｓｉ有３种 原子环境，中心的Ｂａ原子与５个ｓｉ 位于几乎等距 离位置，其晶胞结构如图１所示。约为１．５倍ｓｉ—ｓｉ 键长的距离将由４个Ｓｉ原子形成的四面体结构彼 此隔离开来，ＢａＳｉ 中的ｓｉ四面体结构相对于ｓｉ—ｓｉ 键长为０．２３９ｎｍ，键角为６０。的理想结构有些稍微 的变形，孤立的四面体通过Ｂａ原子相互连接形成 ｆ０１０）面通道１２２１。 正交相半导体ＢａＳｉ 的晶格常数表明它与ｓｉ （１ｌｌ１面有很好的结构匹配。如图２所示。其错配 度在正交￣ＮＢａＳｉ ［ｏｌｏ］方向仅为１．１％，在［００１］方向 仅为０．１％ｔ２３］。相关文献报道：通过在热的Ｓｉ衬底 上反应沉积外延１２２］－［２４］￣常温下固相外延沉积并退 火处理的方法 Ｉ，可以在Ｓｉ衬底的（００１）和（１１１）面 生长［ｔｏｏ］晶向的ＢａＳｉ 。实验表明，在Ｓｉ（１ １ １１面上 可生长出高质量正交相的Ｂａｓｉ：单晶薄膜，而在理 论上，在Ｓｉ（１００）面上生长正交ＳＨＢａＳｉ 的晶格匹配 度并不理想。 正交相的ＢａＳｉ 通过高温高压处理并随后降到 常温常压后，可以获得亚稳态ＢａＳｉ：的立方相和三 角相结构ｌ ｌ７ ｌ１一Ｉ １［－２９１，但是，在不同的压强下得到 亚稳相所需要的温度范围也有较大的不同。Ｉｍａｉ Ｍ等人 认为压强改变了相的稳定性，温度则在 ６１ 第８卷第６期 ２０１１年ｌ２月 综述 Ｓｕｍｍａｒｉｚａｔｉｏｎ Ｖ０１．８ Ｎｏ．６ Ｄｅ，ｃｅｍｂｅｒ ２０ｔ１ 克服相变能量的势垒中起了重要作用。 Ｃ Ｂａｌ Ｂａ２ ｓｉ１ Ｓｉ２ — ⑨Ｓｉ３ ⑦ 图１正交￣ｔｌｆＢａＳｉ２的晶体结构 ０ ０ ０ ｏ ｏ 图２ ＢａＳｉ２与Ｓｉ（１１１）的匹配关系示意图 ２热电效应的基本原理及正交相ＢａＳｉ：的 电学特性 ２．１热电效应的基本原理【删 热电效应主要由塞贝克（Ｓｅｅｂｅｃｋ）效应、帕耳 贴（Ｐｅｌｔｉｅｒ）效应和汤姆ｊ￣Ｊ２（Ｔｈｏｍｓｏｎ）效应构成。这三 ６２ 个效应是可逆的电流引起的热效应和温差引起的 电效应的总和。 Ｓｅｅｂｅｃｋ效应描述了将热能转化为电能的现 象。两个不同的导体ａ、ｂ两端相连接组成闭合回 路。如果在两导体的相接处具有不同温度，回路 中就会有电流通过，这种电流称为温差电流。这 个回路即组成温差电偶，产生电流的电动势称为 温差电动势。它的数值一般只与两个接头的温度 有关。这个效应是Ｓｅｅｂｅｃｋ在１８２１年发现的，因 此称为Ｓｅｅｂｅｃｋ效应，这种温差电动势亦称为Ｓｅｅ— ｂｅｃｋ电动势。 Ｐｅｈｉｅｒ效应是Ｓｅｅｂｅｃｋ效应的逆效应，即由两 种势能有差异导体构成回路中，当载流子从一种 导体通过接头位置进入另一种导体时，需要在接 头附近与晶格发生能量交换，以达到新的平衡， 从而产生吸热与放热的现象，这种热量称为Ｐｅｌｔｉ— ｅｒ热量。该热量只与两种导体的性质和接头的温 度有关，而与导体其它部分的情况无关。当电流 通过一段存在温度差的单一均匀导体时，由于温 度梯度引起导体中载流子能量的不同，导体中除 了产生和电阻有关的焦耳热以外，还要吸收或放 出热量，这种效应就是Ｔｈｏｍｓｏｎ效应，这部分热 量称为Ｔｈｏｍｓｏｎ热量。 Ｓｅｅｂｅｃｋ效应、Ｐｅｌｔｉｅｒ效应和Ｔｈｏｍｓｏｎ效应并 不是孤立存在的，而是相互关联的。它们会同时 存在于既有温差又有电流密度的导体或半导体材 料中 ２．２热电性能的影响因素 材料的热电性能可以用热电优值ｚ来表征，ｚ 值越高，热电材料的性能就越好。热电优值ｚ取 决于材料的Ｓｅｅｂｅｃｋ系数Ｓ、电导率ｏｒ和热导率，（三 个参数，可表示为Ｚ＝（Ｓ２ｒｏ）ｌＫ，热电材料的ｚ值单 位为Ｋ～。在不同温度下，ｚ值一般会发生变化， 而ｚ值和温度Ｔ的乘积ｚＴ是一个无量纲的数值，因 此通常用无量纲优值ｚＴ来衡量材料的综合热电性 能。由ｚ的表达式可以看出，材料的热电性能主 要与Ｓｅｅｂｅｃｋ系数、电导率和热导率有关，优良 的热电材料应具有较大的ｓ和 同时具有较小的，ｃ， 而Ｓｅｅｂｅｃｋ系数和电导率主要取决于载流子浓度。 通常情况下，高的Ｓｅｅｂｅｃｋ系数和低的热导率一 第６期 纳米科技 Ｎｏ．６ ２０１１年１２月 Ｎａｎｏｓｃｉｅｎｃｅ＆Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｄｅｅｅｍｂｅｒ ２０ｔ １ 般都存在于低载流子浓度体系中，但低的载流子 寸效应提高ｓ值，利用声子和晶界的散射降低，ｃ 浓度也导致了低的电导率。另外，载流子在晶体 值，从而大幅度提高ｚＴ值。 中作为电荷和能量的载体，在定向移动时不但对 电流有贡献，对热导也有作用，同时载流子对声 ２．３正交￥［￣ＢａＳｉ 的掺杂及电学特性 子的散射作用会导致热导率的降低。图３为热电 材料的Ｉ生台皂和载流子浓度之间的关系示意图 。随着 Ｍ．Ｉｍａｉ等使用四探针法对不同结构ＢａＳｉ 的电 半导体载流子浓度的增加，电导率增加，但同时 阻率进行了研究【２８１，结果表明，不同相ＢａＳｉ：的电 材料的Ｓｅｅｂｅｃｋ系数会减小，载流子的热导率也 阻率随其晶体结构不同有很大差异，其中，正交 会随之增加，因而，要得到较理想的热电性能， 相ＢａＳｉ 显示了很高的电阻率并与温度呈负相关 载流子浓度必须在一定的范围内才能使得材料的 性。Ｔ．Ｎａｋａｍｕｒａ等Ｉ ５＿用热探针法测得正交相ＢａＳｉ： 热电性能达到最大程度的优化。对大多数材料而 为ｎ一型导电类型，其电阻率在８００Ｋ以上迅速减 言，当载流子浓度为１０２ｓ＿１０￣＇／ｍ ３时，材料的功 小。 率因子ｓ２ｃｒ可以获得峰值，从而可以使材料的热 Ｋ．Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ等Ｉ３ｌ１１３２】研究结果表明，正交相 电优值获得优化。 ＢａＳｉ￣电阻率很高（１０之Ｑ・ｍ数量级）的ｎ型半导体。 电阻率高，其载流子浓度就小，这也在某些方面 Ｉ １ 制约了它的实际应用。Ｙ．Ｉｍａｉ等 通过理论计算 表明，掺Ｇａ形成１＂１型半导体，掺Ｉｎ形成了ｐ型半导 ∽ 赫 ０ 体，掺杂时其价电子的浓度会增加。此外，Ｙ．Ｉ— 暨 挺 甚 曲 ｍａｉｄｘ组也进行了掺ｃａ和ｓｒ的理论研究［３４１。Ｍ． Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等ｌ３ ５】通过掺Ｇａ和Ｉｎ提高了正交相ＢａＳｉ：载 流子浓度，在掺Ｇａ的情况下其电子浓度可达 １０２￣ｃｍ ，电阻率仅为几个ｍＱ・ｃｍ，但由于受温 度的影响，对电子浓度和电阻率的控制并不理 想。Ｋ．Ｍｏｒｉｔａ采用Ｖａｎ ｄｅｒ ｐａｕｗ法测试了正交相 ＢａＳｉ２在１４５—３００Ｋ范围时的霍尔系数＿】２Ｊ，得到了电 斛 曲 子密度和迁移率对温度的依赖关系，结果表明， 在室温下正交相ＢａＳｉ 的电子密度为５ｘｌ０ ｃｍ ， 电子迁移率为８２０ｃｍ２／（Ｖ・Ｓ）；在２２０Ｋ时电子迁移 率最大可达到１２３０ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）。由于原材料的不纯 载流子浓度— 图３热电性能参数与载流子浓度关系示意图 或制备工艺的，ＢａＳｉ 中可能含有杂质或缺 陷，低的载流子密度可能有来自Ｂａｓｉ：深层能级自 目前，现有的热电材料的ｚＴ值较低，一般都 我补偿的贡献，这在实际应用中必须加以改善。 小于１，而理论表明，只有当热电材料的ＺＴ值达 由于正交相ＢａＳｉ 的载流子浓度很小，导致其 到３左右，热电器件才有可能得到大规模的推广 电阻率ｐ很大，影响了热电转换方面的应用潜力。 应用，因此，如何提高材料的ＺＴ值将是其今后研 通过有目的地掺杂来改善其性能也将是人们研究 究的一个重要方向。由于Ｓ、ｏｒ、，ｃ等因子的影响 的一个方向 因素相互关联，因此要想单独通过改善某一因子 来提高ＺＴ值并不容易。从目前来看，提高ＺＴ值的 ３正交￣ＮＢａＳｉ 热电性质的研究 方法一般有两种：一是通过重掺杂，提高载流子 浓度，降低电阻率；一是把薄膜厚度减小到纳米 对于正交相ＢａＳｉ 的研究主要集中在对其基本 尺寸或在薄膜中加入纳米尺寸的相，利用量子尺 结构和光电应用方面的研究，对其热电性质的研 ６３ 第８卷第６期 ２０１１年１２月 综述 Ｓｕｍｍａｒｉｚａｔｉｏｎ Ｖｏｌ＿８ Ｎ（）．６ Ｄｅｅｅｍｂｅｒ ２０１ ｌ 究还较少，早前文献［３６】【３７］报道Ｂａｓｉ２样品有较好 加平面波方法和半经典Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ理论，从理论上 研究了ＢａＳｉ 的热电输运特性，其Ｓｅｅｂｅｃｋ系数、 电导率、ｚ ｒ值在晶向方向上与载流子浓度的函数 关系。如图４所示。随着载流子浓度的增加，电 的热电性质，有较高的Ｓｅｅｂｅｃｋ系数和功率因子， 经过优化掺杂和合金化处理，ＢａＳｉ２￣是一种很好 的热电材料。 热电材料需要有高导电性以避免电阻所引起 导率增加；电导率和弛豫时间的比值在三个不同 的晶向上显示了各向异性的性质；Ｓｅｅｂｅｃｋ系数 随载流子浓度的增加而减小，在不同晶向上几乎 是各向同性。通过优化载流子浓度，ＢａＳｉ。的热电 性质得到了显著的改善，不论是对ｎ一型掺杂还是 电功率之损失，同时亦需具有低热传导系数，以 使冷热两端的温差不会因热传导而改变。 Ｋｏｈｓｕｋｅ Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ等人用放电等离子烧结的方法 制备了ＢａＳｉ 多晶样品，并对其相关电学特性和热 电性质进行了一系列全面的研究１３ １１３２１。他们在研 ｐ一型掺杂体系其ｚＴ值最大可达０．７。在ＢａＳｉ。的声 子能带结构中有相对较平坦的光学色散曲线和低 频声学声子模式，而硅四面体刚性单元振动模式 并散射了声学声子的模式，从而导致了ＢａＳｉ 晶格热导率的减小。 究中使用四探针法对ＢａＳｉ 的Ｓｅｅｂｅｃｋ系数ｓ和电阻 率Ｐ进行了测定，并通过测量热扩散系数（仅）、热 容量（Ｃ。）和样品密度（ ，利用关系式：Ｋ＝ａＣｐｄ对 其热传导系数进行了计算，研究结果表明，（１） ＢａＳｉ 的电阻率ｐ随着温度的升高而减小，显示出 具有半导体特性的负温度特性；测量得出其电阻 率ｐ值很高，达到１０之Ｑ・ｍ数量级，这也说明ＢａＳｉ 中载流子密度很小。（２）ＢａＳｉ 的Ｓｅｅｂｅｃｋ系数ｓ为 负值，表明正交相Ｂａｓｉ 的多数载流子为电子，ｓ 值相对较大，在３３７Ｋ时Ｓ＝一６６９￣Ｖ／Ｋ，在５５０Ｋ 以上时ｓ的绝对值随温度的升高而减小，说明从 此温度点往上ＢａＳｉ 进入本征区，由此可以得出 ｓ２０ｒ值比较低，在３２３Ｋ一９７３Ｋ范围内均低于１０一 Ｗｍ Ｋ之。可以通过掺杂来提高正交；￣ＮＢａＳｉ 的载 流子密度，从而减小电阻率，提高Ｓ２０ｒ值。 （３１ ＢａＳｉ 的热导率 随温度的升高逐渐减小，在室温 下为１．５６Ｗｉｎ Ｋ～，并且在８７３Ｋ时达到最小值 ０．６７Ｗｍ Ｋ一，这和一些典型热电材料（如Ｂｉ２Ｔｅ ） 的，（值差不多甚至比其更小。 （４１在９５４Ｋ时， ＢａＳｉ：的无量纲热电优值ＺＴ最大为０．０１。尽管ＢａＳｉ 的ＺＴ值较小，但由于它具有很小的热导率，所以 在优化其载流子浓度后它将是一种很好的热电材 料。 图４ ３００Ｋ时ＢａＳｉ 的输运性质与栽流子浓度的关系 为了提高ＢａＳｉ：的热电优值，Ｋｏｈｓｕｋｅ Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ等人接着又对掺杂Ｌａ元素的ＢａＳｉ 多晶 样品Ｂａ。 Ｌａ Ｓｉ ｆ０≤ｘ≤０．０８）进行了热电性质的 研究１３８Ｉ，结果表明，在掺杂Ｌａ元素后，ＢａＳｉ 的电 阻率和热导率都比没有掺杂的要低。Ｂ ％Ｌａ０ ｉ 显示出了较大的功率因子和ｚＴ值，在９７０Ｋ时ｚＴ 值可达到Ｏ．０７，这比掺杂前提高了近７倍。 ４结语 热电转换材料在利用废热发电方面有着巨大 的应用潜力，对于解决全球所面临的能源问题和 环境问题、建设低碳社会具有重要意义。正交相 ＢａＳｉ 具有较低的热传导系数，通过掺杂可以有效 改善其热电性能，而且Ｂａ、ｓｉ蕴藏量丰富，对环 境负荷小，在发展新型硅基热电材料方面具有潜 在的应用前景，为此，应不失时机地对正交相 近期，Ｈ．ＰＥＮＧ等人１３９１１４０］应用全电势线性缀 第６期 纳米科技 Ｎｏ．６ ２０１１年１２月 Ｎａｎｏｓｃｉｅｎｃｅ＆Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２０１ １ ＢａＳｉ 的热电特性展开研究。从目前来看，对正交 ｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，２００７，４２８ 相ＢａＳｉ：的研究主要集中在光学性质及光电应用方 ｒｉ－２）：２２—２７ 面，对其热电性能的研究还较少，而且研究的多 ［９］ Ｓｕｅｍａｓｕ Ｔ，Ｍｏｒｉｔａ Ｋ，Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｍ．Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ 是ＢａＳｉ：多晶样品。在实验制备方面，怎样更好地 ｅｐｉｔａｘｙ ｏｆ ｂａｎｄ ｇａｐ ｔｕｎａｂｌｅ ｔｅｒｎａｒｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ 制备出正交相的ＢａＳｉ 的单晶还有待进一步的探 ｓｉｌｉｃｉｄｅｓ Ｂａ Ｓｒ￣Ｓｉ２ ｆｏｒ ｐｈｏｔｏｖｏｈａｉｃ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｊｏｕ卜 ｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，２００７，３０１—３０２：６８０—６８３ 索。在对正交相ＢａＳｉ：热电性能的研究中，虽然通 【１０】 Ｍｏｒｉｔａ Ｋ，Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｍ，Ｓｕｅｍａｓｕ Ｔ．Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ｓｒ ａｄｄｉ— 过掺杂可以改变其导电类型并提高其载流子的浓 ｔｉｏｎ ｏｎ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｉｔｙ ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ａｂ ｓｏｒｐｔｉｏｎ ｅｄｇｅｓ ｉｎ 度，但对掺杂原子还不能很好的控制，掺杂原子 ｔｅｒｎ．ａｒｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｓｉｌｉｃｉｄｅ Ｂａｌ ＳｒｘＳｉ２ｆＪ１＿Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ 在正交ＳＨＢａＳｉ 结构中所起的作用及热电输运机理 ｆｉｌｍｓ，２００７，５１５（２２）：８２１６—８２１８ 尚待深入研究。通过理论计算得出来的结论还需 Ｍｏｒｉｔａ Ｋ，Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｍ，Ｓｕｅｍａｓｕ Ｔ．Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏ：￣ 进一步进行实验上的验证。总之，在利用正交相 Ｅｄｇｅ ｏｆ Ｔｅｒｎａｒｙ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｓｉｌｉｃｉｄｅ Ｂａｌ Ｓ ｒｘＳｉ２【Ｊ１． ＢａＳｉ 制备出可靠的热电器件并付诸实际应用之 ＪＡＰＡＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＰＡＲＴ 前，完善其热电性能的理论研究是必要的。 ２ ＬＥＴｒＥＲＳ，２００６，４５（１２／１６）：３９０ 【１２］ Ｍｏｒｉｔａ Ｋ，Ｉｎｏｍａｔａ Ｙ，Ｓｕｅｍａｓｕ Ｔ．Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ ｅｌｅｅｔｒｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ＢａＳｉ２ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｏｎ Ｓｉ 参考文献 ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ【ＪＪ．Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ ｉｆｌｍｓ，２００６，５０８（１—２）：３６３—３６６ Ｔｒｉｔｔ ＴＭ，Ｓｕｂｒａｍａｎｉａｎ Ｍ．Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌｓ， ［１３１ Ｍｉｇａｓ Ｄ，Ｓｈａｐｏｓｈｎｉｋｏｖ Ｖ，Ｂｏｒｉｓｅｎｋｏ Ｖ．Ｉｓｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ ｐｈｅｎｏｍｅｎａ，ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ：Ａ ｂｉｒｄ＇ｓ ｅｙｅ ｖｉｅｗ【Ｊ］． ＢａＳｉ２，ＢａＧｅ２ ａｎｄ ＳｒＧｅ２：ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒ－ ＭＲＳ ｂｕｌｌｅｔｉｎ，２００６，３１（０３）：１８８—１９８ ｔｉｅｓ［Ｊ］．ｐｈｙｓｉｃａ ｓｔａｔｕｓ ｓｏｌｉｄｉ（ｂ），２００７，２４４（７）：２６１１—２６１８ 【２１ 朱铁军，赵新兵，胡淑红，等．新型热电材料１３一ＺｍＳｂ， 【１ ４１ Ｚｈａｏ ＦＪ，Ｘｉｅ Ｑ，Ｃｈｅｎ Ｑ，ｅｔ ａ１．Ｆｉｒｓｔ－ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｃａｌｅｕｌａ－ 的电学性能【ＪＪ．稀有金属材料与工程，２００１，３０（００３）： ｔｉｏｎｓ ｏｎ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ １８７—１８９ ｏｆ ＢａＳｉｆＪ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ ｉｎ Ｃｈｉｎａ Ｓｅｒｉｅｓ Ｇ：Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｍｅｃｈａｎ— ［３ ３］Ｐｒｉｅｔｏ ＡＬ，Ｓａｎｄｅｒ ＭＳ，Ｍａｒｔｉｎ—Ｇｏｎｚａｌｅｚ ＭＳ，ｅｔ ａ１． ｉｃｓ ａｎｄ Ａｓｔｒｏｎｏｍｙ，２００９，５２（４）：５８０－５８６ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｏｒｄｅｒｅｄ Ｂｉ２Ｔｅ３ ｎａｎｏｗｉｒｅ ａｒｒａｙｓ『Ｊ］． 【１５】 Ｐａｎｉ Ｍ．Ｐａｌｅｎｚｏｎａ Ａ．Ｔｈｅ ｐｈａｓｅ ｄｉａｇｒａｍ ｏｆ ｔｈｅ Ｂａ—ｓｉ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００１，１２３ ｓｙｓｔｅｍ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，２００８，４５４ （２９）：７１６０—７１６１ ｆ１—２１：Ｌ１－Ｌ２ ］ Ｒｏｗｅ ＤＭ．ＣＲＣ ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ【Ｍ】：ＣＲＣ， ［１６］ Ｅｖｅｒｓ Ｊ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ－ｍｅｔａｌ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｉｎ ＢａＳｉ２『ＪＪ． ｌ９９５． Ｊｏｕｒｎａ１ ｏｆ ｔｈｅ Ｌｅｓｓ Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｅｔａｌｓ，１９７８，５８（１）：７５—８３ ［５］ Ｎａｋａｍｕｒａ Ｔ，Ｓｕｅｍａｓｕ Ｔ，Ｔａｋａｋｕｒａ Ｋ，ｅｔ ａ１．Ｉｎｖｅｓｔｉｇａ— ［１７】 Ｅｖｅｒｓ Ｊ．Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｒｅｅ—ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｉｎ ｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｅｎｅｒｇｙ ｂａｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ ＢａＳｉ２ ＢａＳｉ２ ｆＪ１．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９８０，３２（１）： ｂｙ ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ ａｎｄ ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ ７７－８６ ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓ【ＪＪ．Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ ｌｅｔｔｅｒｓ，２００２，８ １（６）： 【１８】 ｈｎａｉ Ｍ，Ｈｉｒａｎｏ Ｔ，Ｋｉｋｅｇａｗａ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｉｎ ｓｉｔｕ ｍｅａｓｕｒｅ— １０３２—１０３４ ｍｅｒｉｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｅ－ｔｏ－ｔｒｉｇｏｎａｌ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｉｎ 【６】 Ｉｍａｉ Ｙ，Ｗａｔａｎａｂｅ Ａ，Ｍｕｋａｉｄａ Ｍ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｔｕｒｃｔｕｒｅｓ ＢａＳｉ２ ｓｕｎｄｅｒ ｈｉｇｈ—－ｐｒｅｓｓｕｒｅ ａｎｄ ｈｉｇｈ——ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｎ－ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ａｌｋａｌｉｎｅ－ｅａｒｔｈ ｍｅｔａｌ ｓｉｌｉｃｉｄｅｓⅢ． ｄｉｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ，１９９７，５５（１）：１３２－１３５ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，２００３，３５ ８（１—２）： 【１９］ Ｉｍａｉ Ｍ，Ｈｉｒａｎｏ Ｔ，Ｋｉｋｅｇａｗａ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｐｈａｓｅ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｓ ２５７—２６３ ｏｆ ＢａＳｉ２ ａｔ ｈｉｇｈ ｐｒｅｓｓｕｒｅｓ ａｎｄ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ【ＪＪ． Ｉｖａｎｅｎｋｏ Ｌ，Ｓｈａｐｏｓｈｎｉｋｏｖ Ｖ，Ｆｉｌｏｎｏｖ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｅｌｅｃ— Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ．１９９８．５８（１８）：１ １９２２—１ １９２６ ｔｒｏｎｉｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｓｉｌｉｃｉｄｅｓ：ｆｕｎｄａ— 【２０】 Ｂａｌｄｎｃｃｉ Ｇ，Ｂｒｎｔｔｉ Ｓ，Ｃｉｃｃｉｏｌｉ Ａ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃ ｍｅｎｔａｌｓ ａｎｄ ｒｅｃｅｎｔ ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎｓ［ＪＪ＿Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ ｆｉｌｍｓ， ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｂａｒｉｕｍ ｓｉｌｉｃｉｄｅｓ ｆｒｏｍ ｖａｐｏｒ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｍｅａ－ ２００４，４６１（１）：１４１－１４７ ｓｈｉｎｏ Ｓ，Ｉｍａｉ Ｔ，Ｉｉｓｕｒｅｍｅｎｔｓ ａｎｄ ｄｅｎｓｉｔｙ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｉｎｔｅｒ－ ［８】 Ｋｉｄａ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２００８，１６（８）：１００６—１０１２ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｂｕｌｋ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｏｒ— ｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ ＢａＳｉｚ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｂｒｉｄｇｍａｎ ［２ｌ】 ＳｃｈＭｅｒ Ｈ，Ｊａｎｚｏｎ Ｋ，Ｗｅｉｓｓ Ａ．ＢａＳｉ２，ａ Ｐｈａｓｅ ｗｉｔｈ Ｄｉｓ— ｃｒｅｔｅ Ｓｉ４ ｔｅｔｒａｈｅｄｒａ［Ｊ］．Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｃ Ｉｎｔｅｒｎａ— 第８卷第６期 ２０１１年ｌ２月 综述 Ｓｕｍｍａｒｉｚａｔｉｏｎ Ｖｏ１．８ Ｎｏ．６ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２０１ １ ｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ ｉｎ Ｅｎｇｌｉｓｈ，１９６３，２（７）：３９３～３９４ ［２２】ＭｃＫｅｅ Ｒ，Ｗａｌｋｅｒ Ｆ，Ｃｏｎｎｅｒ Ｊ，ｅｔ ａ１．ＢａＳｉ２ ａｎｄ ｔｈｉｎ ｉｆｌｍ ａｌｋａｌｉｎｅ ｅａｒｔｈ ｓｉｌｉｃｉｄｅｓ ｏｎ ｓｉｌｉｃｏｎ【Ｊ】．Ａｐｐｌｉｅｄ 【３３】Ｉｍａｉ Ｙ，Ｗａｔａｎａｂｅ Ａ．Ｅｎｅｒｇｅｔｉｃ ａｎｄ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ ｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ １３ｔｈ Ｇｒｏｕｐ ｅｌｅｍｅｎｔ ｆＧａ ａｎｄ Ｉｎ）ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｄｏｐｉｎｇ ｔｏ ｃｏｎｔｒｏｌ ｔｈｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ＢａＳｉ２［Ｊ】．Ｉｎｔｅｒｍｅｔｌｌａｉｃｓ，２００７，１５（１ ｏ）：１２９１—１２９６ 【３４】Ｉｍａｉ Ｙ，Ｗａｔａｎａｂｅ Ａ．Ｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｂａｎｄ－ｇａｐ ｔｕｎａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ＢａＳｉ２ ｂｙ ａｌｌｏｙｉｎｇ ｗｉｔｈ Ｃａ ｏｒ Ｓｒ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｐｈｙｓｉｃｓ ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９３，６３（２０）：２８１８—２８２０ 【２３］ｌｎｏｍａｔａ Ｙ，Ｎａｋａｍｕｒａ Ｔ，Ｓｕｅｍａｓｕ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ＢａＳｉ２ ｆｉｌｍｓ ｏｎ Ｓｉ（１１ １）ｓｕｂ— ｓｔｒａｔｅｓ ｂｙ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ［Ｊ］．Ｊａｐａｎｅｓｅ ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ，２００４，４３（４Ａ）：Ｌ４７８一Ｌ４８ １ 【２４】ｌｎｏｍａｔａ Ｙ，Ｎａｋａｎｍｒａ Ｔ，Ｓｕｅｍａｓｕ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ ｆｉｌｍｓ， ２００７，５１５（２２）：８２１９－８２２５ 【３５】Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｍ，Ｍｏｒｉｔａ Ｋ，Ｓｕｅｍａｓｕ Ｔ．Ｇｒｏｗｔｈ ａｎｄ ｃｈａｒ— ａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｇｒｏｕｐ—－ＩＩＩ ｉｍｐｕｒｉｔｙ——ｄｏｐｅｄ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ－ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ＢａＳｉ２ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ ｏｎ Ｓｉ（１ ｌ】） Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｂｙ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｅｐｉｔａｘｙ［Ｊ］．Ｊａｐａｎｅｓｅ ｉｎｇ ＢａＳｉ２ ｆｉｌｍｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ【Ｊ】． ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ，２００４，４３（７Ａ）：４１５５ 【２５】Ｗｅｉｔｅｒｉｎｇ Ｈ．Ｎｅｗ ｂａｒｉｕｍ－ｉｎｄｕｃｅｄ ｓｕｒｆａｃｅ ｒｅｃｏｎｓｔｒｕｃ－ Ｔｈｉｎ ｓｏｌｉｄ ｉｆｌｍｓ，２００７，５ １５（２２）：８２４２—８２４５ 【３６】Ｓｐｉｔｚｅｒ Ｄ．Ｌａｔｔｉｃｅ ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｙｔ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ— ｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｓｉ（１ ｌ１）ｆＪ】．Ｓｕｒｆａｃｅ ｓｃｉｅｎｃｅ，１９９６，３５５（１—３）： Ｌ２７ｌ—Ｌ２７７ ｔｏｒｓ：ａ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｂｏｎｄ ａｐｐｒｏａｃｈ【Ｊ１．Ｊｏｕｒｒｍｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｓｏｌｉｄｓ，１９７０，３１（１）：１９－４０ ［３７］Ｓａｍｓｏｎｏｖ ＧＶ，Ｖｉｎｉｔｓｋｉｉ Ｉ．Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ＇ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ（Ｔｏｍ— ｐｏｕｎｄｓ［Ｊ］．１ ９８０： ［３８］ＨＡＳＨＩＭＯＴＯ Ｋ，ＫＵＲＯＳＡＫＩ Ｋ，ＭＵＴＡ Ｈ，ｅｔ ａ１．１ ｅｒ＿ ｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｌａ－Ｄｏｐｅｄ ＢａＳｉ２［Ｊ１．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ，２００８，４９（８）：１７３７—１７４０ ［２６】Ｅｖｅｒｓ Ｊ，Ｏｅｈｌｉｎｇｅｒ Ｇ，Ｗｅｉｓｓ Ａ．Ｃｒｙｓｔａｌ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ Ｂａｒｉｕｍ Ｄｉｓｉｌｉｃｉｄｅ ａｔ Ｈｉｇｈ Ｐｒｅｓｓｕｒｅｓ【Ｊ１．Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｃ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ ｉｎ Ｅｎｇｌｉｓｈ，１ ９７７，１ ６（９）： ６５９—６６０ 【２７】Ｅｖｅｒｓ Ｊ，Ｏｅｈｌｉｎｇｅｒ Ｇ，Ｗｅｉｓｓ Ａ．Ａ Ｎｅｗ Ｈｉｇｈ—Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｐｈａｓｅ ｏｆ Ｂａｒｉｕｍ Ｄｉｓｉｌｉｃｉｄｅ［Ｊ］．Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ Ｉｎ－ ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ ｉｎ Ｅｎｇｌｉｓｈ，１９７８，１７（７）：５３８－５３９ 【３９】Ｐｅｎｇ Ｈ，Ｗａｎｇ ＣＬ，Ｌｉ ＪＣ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ ｉｎｖｅｓｔｉｇａ— ｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｉｒｃ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＢａＳｉ２ 【２８］Ｉｍａｉ Ｍ，Ｈｉｒａｎｏ Ｔ．Ｅｌｅｃｔｉｒｃａｌ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｍｅｔａｓｔａｂｌｅ ｐｈａｓｅｓ ｏｆ ＢａＳｉ２ ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ ｕｎｄｅｒ ｈｉｇｈ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ａｎｄ ［Ｊ１．Ｃｈｉｎｅｓｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｂ，２０１１，２０（４）：０４６１０３ ［４０】Ｐｅｎｇ Ｈ，Ｗａｎｇ Ｃ，Ｌｉ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｎｄ Ｌａｔｔｉｃｅ Ｖｉ— ｂｒａｔｉｏｎａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＢａＳｉ２ ｆｒｏｍ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｆＪ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ， １９９５．２２４（１）：１ ｌ １—１ ｌ６ 【２９】Ｉｍａｉ Ｍ，Ｈｉｒａｔａ Ｋ，Ｈｉｒａｎｏ Ｔ．Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｔｉｒｇｏ－ Ｔｈｅｏｙ Ｃａｌｒｃｕｌａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， ２０１ １，４０ｆ５）：６２０—６２３ ｈａｌ ＢａＳｉ２［Ｊ］．Ｐｈｙｓｉｃａ Ｃ：Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ，１９９５，２４５（１— ２１：１２一ｌ４ 作者简介 【３０Ｊ刘恩科，朱秉升，罗晋生．半导体物理学【Ｍ］：国防工 业出版社．２００７． 徐虎（１９８４一），男，河南信阳人，在读硕士，主要 ［３ １］Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ Ｋ，Ｋｕｒｏｓａｋｉ Ｋ，Ｉｍａｍｕｒａ Ｙ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅｎｎｏ－ 从事新型电子功能材料的研究。 谢泉（１９６４一），男，湖南邵阳人，博士后，教授， 博士生导师，主要从事新型电子功能材料的研究。 杨子义（１９７７一），男，湖北黄石人，在读博士，主要 从事新型电子功能材料的研究。 熊锡成（１９７２一），男，河南信阳人，在读博士，主要 从事新型电子功能材料的研究。 ｅｌｅｃｔｉｒｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ａｌｋａｌｉｎｅ－ｅａｒｔｈ ｓｉｌｉｃｉｄｅｓ［Ａ］．ＩＥＥＥ， ２００７：２４５－２４７． 【３２】Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ Ｋ，Ｋｕｒｏｓａｋｉ Ｋ，ｌｍａｍｕｒａ Ｙ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅｒｍｏ— ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＢａＳｉ２，ＳｒＳｉ２，ａｎｄ ＬａＳｉ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２００７，１０２（６）：０６３７０３－０６３７０３— ０６３７０５ 会！舍：舍：全：舍！．全：舍：舍：全：舍 全：舍！舍 全： 舍！舍：舍：．／；＼：舍：舍 舍！舍！舍： 舍 全 ／；、 舍：舍－√ 令：． 全：舍：全： （上接第ｌ８页） 【１４】 Ａ．Ｎｅａｍａｎ，Ａ．Ｓｉｎｇｅｒ．Ｒｈｅｏｌｏｇｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ａｑｕｅ— ｏｎｓ ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎｓ ｏｆ ｐａｌｙｇｏｒｓｋｉｔｅ［Ｊ］．Ｓｏｉｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ Ｊｏｕｒｎａｌ，２０００，６４：４２７—４３６． ’ 作者简介 陈浩（１９８０一），男，副教授，研究方向：纳米功能 材料的制备及界面行为。
